先进制程半导体产能持续扩张，晶圆曝光工序作为光刻核心环节，对晶圆与掩模版的重合对位精度、重复定位稳定性要求达到亚微米级别。传统人工对位误差大、节拍慢，极易出现套刻偏移、图案变形、整片晶圆报废问题。双翌光电整套机器视觉对位解决方案，为晶圆曝光工艺提供超高精度套刻定位、多点基准校准、温度形变补偿能力，兼容 6/8/12 英寸晶圆成熟及先进制程生产。晶圆曝光设备依靠光刻光源将掩模电路图案转移至晶圆光刻胶层，对位精度直接决定芯片线路良率。视觉系统实时采集晶圆标记点与掩模基准点坐标，实时驱动平台完成微米级贴合校准，是保障套刻精度、稳定良率的核心核心单元。