在半导体制造的超精密加工领域中，光刻工序无疑是最为核心的技术环节。光刻工艺的本质，是将掩模版上的电路图案通过光学系统投影到涂覆光刻胶的晶圆表面，经过曝光、显影等步骤，将图案固化在晶圆上。然而，现代集成电路往往由数十层电路结构堆叠而成，每一层图案都必须与前一层已形成的图案精确对准，任何微小的位置偏差都可能导致层间短路、开路或器件性能劣化，直接影响芯片的良率和可靠性。 随着芯片制程工艺节点向更先进尺度演进，曝光对准精度的要求已经从微米级跨入亚微米级甚至纳米级。...
2026-04-11 17:47:46
